牛津仪器ALD和2D技术专家与Eindhoven科技大学研究团队合作，为纳米设备应用开发创新FlexAL-2D用于2D过渡金属二硫属元素的原子层沉积（ALD）。

FlexAL-2D ALD系统为2D材料的生长提供了许多好处：

• 2D材料生长：
  • 在CMOS兼容温度下
  • 具有精确的数字厚度控制
  • 在大面积（200mm晶圆）
• 2D材料的强大ALD工艺：
  • 自限性ALD增长
  • MoS2：
    • 无氧无碳（<2％）
    • 快速生长〜0.1 nm /周期
    • 结晶材料高于300°C
  • 可调谐形态：控制基面或边缘平面取向
  •  一个工具实现ALD电介质和其他ALD层在2D材料上生长
  • 创建先进的2D设备结构
  • RF基板偏置选项用于胶片属性控制

FlexAL-2D ALD系统提供的宽参数空间使二维过渡金属二硫属元素在比CVD炉中使用的温度更低的温度下生长。2D MoS2的材料通过ALD在450℃和较低温度成长的第一结果将在2017年7月16日由Eindhoven研究人员在丹佛的ALD会议呈现。 实现等离子体增强的ALD以合成具有可调形态的二维二硫化钼膜的层，即在CMOS兼容的SiO2 / Si衬底上的平面内和垂直的纳米级结构。2D平面形态在纳米电子学中具有潜在的应用，而3D鳍结构对于诸如水分裂的催化应用是理想的。

牛津仪器等离子体技术公司的ALD产品经理Chris Hodson对这项研究感到高兴，“Dr. Bol和等离子体及材料处理（PMP）组在TU / e正在将ALD研究的边界推向新的应用领域。 2D材料是一个热门话题，利用ALD允许在较低温度下生长，并结合2D材料与ALD沉积和其他加工方法在200毫米提供了新的能力与许多可能性。

Ageeth Bol博士评论道： “我们对来自牛津仪器公司的新ALD FlexAL配置的结果感到兴奋，该设备满足我们的需求。”Bol解释说。 研究人员对相对较低的温度特别感兴趣。 “对于CVD工艺，通常需要超过800摄氏度的温度。 这对于半导体的应用来说通常是致命的，因为高温会增加原子的扩散，这使得它们更难置于正确的位置。 我们希望有一个在较低温度下生产高品质材料的工艺。 这对于我正在处理的二维异质层是特别重要的，因为在更低的温度下，层之间的原子扩散将减少。”

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